制造商: Toshiba

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 2 A

Vds-漏源极击穿电压: 16 V

技术: Si

增益: 13.3 dB

输出功率: 4.3 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PW-Mini-3

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single  

工作频率: 470 MHz  

系列: RFM04  

类型: RF Power MOSFET  

商标: Toshiba  

Pd-功率耗散: 7 W  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: 3 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.7 V  

单位重量: 50 mg