制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: PLUS-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1000 V

Id-连续漏极电流: 44 A

Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 264 nC

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 1.56 kW

商标名: HyperFET

封装: Tube

系列: IXFB44N100  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: IXYS  

上升时间: 300 ns  

工厂包装数量: 25  

单位重量: 1.600 g