端子数量 3  

FQPF12N60C击穿电压 600 V  

FQPF12N60C加工封装描述 ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN  

FQPF12N60C无铅 Yes  

FQPF12N60C状态 ACTIVE  

FQPF12N60C包装形状 矩形的  

FQPF12N60C包装尺寸 凸缘安装  

FQPF12N60C端子形式 THROUGH-孔  

FQPF12N60C端子涂层 MATTE 锡  

FQPF12N60C端子位置 单一的  

FQPF12N60C包装材料 塑料/环氧树脂  

FQPF12N60C结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管  

FQPF12N60C壳体连接 隔离  

FQPF12N60C元件数量 1  

FQPF12N60C晶体管应用 开关  

FQPF12N60C晶体管元件材料 硅  

FQPF12N60C通道类型 N沟道  

FQPF12N60C场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR  

FQPF12N60C操作模式 ENHANCEMENT  

FQPF12N60C晶体管类型 通用电源  

FQPF12N60C漏电流 12 A  

FQPF12N60C额定雪崩能量 870 mJ  

FQPF12N60C漏极导通电阻 0.6500 ohm  

深圳市亚泰盈科电子
联系人：罗S
QQ:2355705577   TEL:0755-83759893
主营各大品牌进口IC分销贸易
主营品牌：TI 模拟数字信号处理器 收发器 接口 音频器件与逻辑器件
AD 混合信号处理器 数模转换器 传感器 音视频器件与处理器DSP
NXP 放大器 电源管理IC 二极管 双极性晶体管 数据转换 媒体处理器 微控制器MCU 可控硅整流
TOSSHIBA 通用逻辑IC CMOS逻辑IC 光电耦合器 存储器
IR 整流器 驱动器 放大功率器
ST 存储器 微控制器
MICHIPS MUC
XILINX ALTERA LATTICE 可编程逻辑器件
HITTTIE RFMD 微波射频器件
SAMSUNG HYNIX Spansion ISSI 存储器DDR2 DDR3
为您提供一站式服务!