深圳市亚泰盈科电子有限公司 罗丹妹
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设计资源: | IRF7233 Saber ModelIRF7233 Spice Model |
标准包装: | 4,000 |
类别: | 分立式导体产品 |
家庭: | FET - 单 |
系列: | HEXFET® |
包装: | 带卷 (TR) |
FET 类型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss): | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): | 9.5A (Ta) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值): | 20 毫欧 @ 9.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 600mV @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 74nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 6000pF @ 10V |
功率 - 值: | 2.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
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