产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 600 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 20.7 A
导通电阻： 190 mOhms
配置： Single
工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： TO-220-3
封装： Tube
商标： Infineon Technologies
下降时间： 4.5 ns
工作温度： - 55 C
功率耗散： 208 W
上升时间： 5 ns
系列： SPP20N60
工厂包装数量： 500
商标名： CoolMOS
典型关闭延迟时间： 67 ns

深圳市亚泰盈科电子有限公司
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