产品： MOSFET Gate Drivers
配置： Non-Inverting
激励器数量： 2
上升时间： 100 ns
下降时间： 50 ns
输出电流： 0.36 A
电源电压-： 20 V
电源电压-： 10 V
电源电流： 30 uA
功率耗散： 0.625 W
工作温度： + 125 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOIC-8
类型： High Side/Low Side
商标： International Rectifier
关闭延迟时间： 220 ns
开启延迟时间： 220 ns
工作温度： - 40 C
输出端数量： 2
输出电压： 10 V to 20 V

深圳市亚泰盈科电子有限公司
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