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制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:   
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-223-4 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 240 V 
Id-连续漏极电流: 350 mA 
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V 
Qg-栅极电荷: 6.4 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 1.8 W 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
封装: Reel 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 18.4 ns 
正向跨导 - 值: 180 mS 
高度: 1.6 mm 
长度: 6.5 mm 
产品类型: MOSFETs 
上升时间: 3.5 ns 
系列: BSP89 
1000 
子类别: Transistors 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 15.9 ns 
典型接通延迟时间: 4 ns 
宽度: 3.5 mm 
零件号别名: BSP89 H6327 SP001058794 
单位重量: 112 mg