无源晶振振荡电路失效问题，可以从以下三个当面来分析：
　　1、检查芯片设置
　　某些芯片需要进行编程或复位以启用振荡电路，因此若振荡电路不工作，请检查芯片是否已完成所需设置。
　　-检查C-MOS逆变器的功能作为放大器。
　　-请确保用于石英晶体振荡器振荡电路的C-MOS逆变器用作反相放大器。
　　-反馈电阻(Rf)作为偏置电阻对于使用C-MOS反相器制作反相放大器非常重要，请检查Rf是集成在IC中还是添加在振荡电路上。如果反相放大器工作，C-MOS逆变器输入/输出端的直流电压电平应为施加到C-MOS逆变器的1/2电压。
　　2、检查无源晶振电气特性
　　-请检查”R1″和”fl”是否符合规格
　　-需要网络分析仪或阻抗分析仪来检查。
　　3、检查振荡裕量
　　如果石英晶振本身的电气特性正常,则振荡裕量（负性阻抗）不足会导致振荡停止，我们根据R1规范提出超过5倍的振荡余量。
　　-外部电容大小的影响
　　外部电容减小，会使振荡裕度变大，其原理是较低的外部电容会使C-MOS逆变器的输出产生高阻抗。而提高的阻抗则会致振荡电路的高负阻并增加振荡裕度。
　　注：更改外部电容后，请检查晶振实际振荡频率是否在您想需频率范围内，因为晶振振荡频率会随外部电容小而变高。晶振振荡频率的高低与外部电容的大小呈现的关系为反比。
　　-阻尼电阻大小的影响
　　由于较高负电阻可以增加振荡裕度，同理，我们可以尝试通过降低阻尼电阻的手段来减少其对振荡幅度的衰减。在您将阻尼电阻变小之后,请检查电流的驱动电平（激励功率）是否在晶振驱动级别允许范围内，因为阻尼电阻变小后，驱动电流自然会变高。在此情况之下，过高电流容易造成晶振因过驱而受损问题。