Marvell 展示业界首款 3nm 数据基础设施芯片

发布时间:2023/4/24 17:40:58

  Marvell 在该节点中的业界首创硅构建模块包括 112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片到芯片互连。
    新的构建模块是 Marvell 继续执行其战略的一部分,该战略旨在开发用于设计芯片的综合硅 IP 组合,这些芯片将从根本上提高下一代数据基础设施的带宽、性能和能效。这些技术还支持从标准和低成本 RDL(再分布层)到基于硅的高密度互连的所有半导体封装选项。
    Marvell 也是家分别出样和商业发布业界ling先的112G SerDes 的数据基础设施芯片供应商,并且一直是基于台积电 5nm 工艺的数据基础设施产品的。
    SerDes 和并行互连充当高速通道,用于在小芯片内部的芯片或硅组件之间交换数据。与 2.5D 和 3D 封装一起,这些技术将消除系统级瓶颈,以推进复杂的半导体设计。SerDes 还有助于减少引脚、走线和电路板空间,从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。
    例如,新的并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输,比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%。换句话说,互连传输速率相当于每秒 10,000 部高清电影,尽管距离只有几毫米或更短。
    Marvell 将其 SerDes 和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中,包括Teralynx ?交换机、PAM4和相干 DSP、Alaska ?以太网物理层 (PHY)设备、OCTEON ?处理器、Bravera? 存储控制器、Brightlane? 汽车以太网芯片组和定制 ASIC . 转向 3nm 工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗,同时保持信号完整性和性能。
    “随着云和其他计算系统在规模、复杂性和功能方面的增长,互连变得越来越重要。我们先进的 SerDes 和并行接口将发挥重要作用,为开发具有一流带宽、延迟、误码率和功率效率的芯片提供平台,以满足人工智能和其他复杂工作负载的需求,”Raghib Hussain 说,Marvell 产品和技术总裁。“我们很自豪能够在台积电的 3nm 技术上取得如此进步,并为我们quan球的客户将半导体设计提升到一个新的水平。”
    “带宽是云的命脉。服务提供商在云中的网络容量每年增长约 50%,人工智能应用程序的网络容量增长超过 100%,”650 Group 的联合创始人 Alan Weckel 说。“Marvell 成功生产 3nm SerDes 和互连器件标志着帮助云服务提供商ling先于对更高速度和更多流量不断增长的需求的一步。”
    是德科技网络和数据中心解决方案副总裁 Joachim Peerlings 表示:“我们祝贺 Marvell 在业界的 3nm 工艺技术中实现了这一重要的硅开发里程碑。“我们对我们在更广泛的行业支持方面取得的进展感到非常高兴,并很高兴与 Marvell 等技术创新者合作,展示下一代互连技术,这将有助于突破数据基础设施芯片设计、性能和能源效率的界限。”

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