Vishay 分立半导体 MOSFE 表面贴装行N通道
威世 SQJ488EP-T2_GE3 汽车级
封装：PowerPAK? SO-8
数量：18k
DC：22%2B
LT：2-3weeks
MSL:1
标准包装：3000/reel
产品状态 | | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | | |
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） | |
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） | | |
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） | | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） | | |
Vgs（zui大值） | | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） | | |
FET 功能 | | |
功率耗散（zui大值） | | |
工作温度 | |
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