SI2319DDS-T1-GE3威世Vishay深圳现货9K_新闻动态_深圳市博盛达电子有限公司

产品状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.7A（Ta），3.6A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）	75 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）	2.5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）	19 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）	?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）	650 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（zui大值）	1W（Ta），1.7W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3