分立半导体产品 单 FET，MOSFET--SI4435DDY-T1-GE3TR-ND

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描述

表面贴装型 P 通道 30 V 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC

FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.4A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
24 毫欧 @ 9.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
3V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
1350 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
SI4435

深圳市瀚珑科技有限公司，提供全品类电子元器件的交易服务平台。




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