Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已量产全qiu首款 232 层 NAND。它采用了业界领xian的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比，该产品拥有业界zui高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。

    美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新，包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步，以及基于美光市场领xian的 176 层 NAND 技术所进行的进一步设计创新。”
    领xian技术铸就卓越性能
    随着全qiu数据量的增加，客户必须扩大存储容量，提升性能，同时降低能耗，并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光 232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务，同时还可在移动设备、消费电子产品和 PC 上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界zui快的 NAND 输入/输出（I/O）速度（每秒2.4GB），以满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析，以及云计算等数据密集型工作负载。该 I/O 速度比美光在 176 层节点上所支持的zui高速度还要快50%2。相比上一代产品，美光 232 层 NAND 的每颗裸片写入带宽提升至高100%，读取带宽提升至少 75%2。这些优势提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效。
    此外，美光 232 层 NAND 还是全qiu首款六平面 TLC 量产 NAND3。与其他 TLC 闪存相比，该产品在每颗裸片上拥有zui多的平面数量3，且每个平面都具有独立的数据读取能力。高 I/O 速度和低读写延迟，以及美光的六平面架构，使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突，推动系统级服务质量的提升。
    美光 232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量产技术。NV-LPDDR4 是一种低压接口，与此前的 I/O 接口相比，每比特传输能耗可降低至少 30%。因此，232 层 NAND 解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。
    232 层 NAND 紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计，同时实现超越历代产品的每平方毫米zui高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比当今市场上的 TLC 竞品高 35% 到 100%3。它还采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封装规格，较前几代产品的封装尺寸小 28%2，使其成为目前市场上尺寸zui小的高密度 NAND3。该产品兼具小体积和高密度，因此占用更小的电路板空间，适用于各类部署。
    下一代 NAND 助力整个市场实现创新
    美光首xi商务官 Sumit Sadana 表示：“美光持续率先上市更高堆叠层数的 NAND，实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间，提升云计算性能，加快 AI 模型的训练速度，从而能够保持长期的技术领xian地位。美光 232层 NAND 为端到端存储创新确立了新基准，助推多个行业的数字化转型。”
    232 层 NAND 的开发得益于美光领xian业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。
    供货情况
    美光 232 层 NAND 目前已在其新加坡晶圆厂实现量产，并首先以组件形式通过英睿达（Crucial）SSD 消费类产品线向客户出货。其他产品信息及供货状况将在稍后公布。
    美光位于新加坡的 NAND 卓越中心因其在智能制造领域的优xiu运营能力而被世界经济论坛列入其全qiu灯塔工厂网络。先进的 AI 工具、智能控制系统和预测能力使美光能够加速产品开发，强化产品质量，更快提升良率，从而缩短产品上市时间。