在谈新晶圆厂之前，让我们再来重温下欧洲半导体本来的实力。在quan球半导体的版图中，欧洲始终扮演着重要的一个角色，欧洲可以说是“盛产”半导体巨头的地区。

首先，英国是化合物半导体王国，IQE是化合物半导体领域的龙头，在化合物外延片领域，IQE占据quan球60%的市场份额；英国还有Arm和imagination这样的IP厂商，两家均在quan球十大半导体IP供应商之列；zui近崛起的AI芯片公司Graphcore也是英国半导体产业的一颗新星。

然后，德国更是被冠以“欧洲zui强工业国”、“世界汽车王国”的国家。在半导体领域更是有着不容忽视的实力，德国不仅有英飞凌、博世这样的IDM大厂，英飞凌在汽车电子、电源和安全IC领域都处于di一的地位，在半导体产业链中，博世是少有的几家既熟谙微机电行业，又是电子和软件方面zhuan家的企业之一，在MEMS传感器领域，博世市场份额大约为22%；有X-Fab这样的晶圆代工厂，X-Fab是quan球zui大的SiC代工厂；还有quan球第三大EDA设计公司西门子；在半导体材料领域，德国有Siltronic这样的硅片厂商，SiCrystal SiC衬底供应商（已被日本罗姆收购），蔡司的镜头是光刻机的关键组件。

欧洲还有位于荷兰的光刻机霸主ASML，长期位列quan球半导体供应商20强的意法半导体和恩智浦，法国半导体硅片厂商Soitec等等。

可以看出，欧洲在整个半导体市场中，还是有很大的话语权的，但是欧洲缺乏先进处理器和晶圆厂。多年来，欧洲也曾尝试过提升自身的芯片制造能力，但一直有心无力，此次《欧洲芯片法案》的通过，或将为欧洲的制造产业注入一池春水。

在经历了芯片短缺和供应链依赖的弊端、意识到半导体市场蓬勃发展的分析后，欧盟委员会于2022 年 2 月 8 日提出了一套旨在加强欧盟半导体生态系统的综合措施，即《欧洲芯片法案》，在过去的几十年里，欧盟在quan球市场上的微芯片产量一直保持在10%的稳定份额，欧盟的目标是要将半导体产能提高到20%。该法案计划投入430亿欧元来支持芯片的发展，超过三分之二的资金被指定用于建设新的、ling先的芯片制造厂，或“大型晶圆厂”。

2023年1月24日，该法案正式通过。根据zui新的《欧洲芯片法案》草案及修正案内容显示，其芯片战略主要围绕五大目标：

• 强化欧盟在研究和技术层面的领导地位；

• 建立并强化欧盟在先进、节能和安全芯片设计、制造和封装方面的创新能力，并将其转化为商业产品；

• 建立一个适当的框架，到2030年大幅提高芯片生产能力（在quan球半导体产能中的份额提高到20%），减少对外依赖；

• 解决严重的技能短缺问题，吸引创新人才并支持熟练劳动力的培养；

• 加深对quan球半导体供应链的了解。

欧盟委员会已拨出了150亿欧元的资金用于到2030年的公共和私营半导体项目，这就为欧洲提供了发展的独特机会，该举措不仅吸引了欧盟成员国，也吸引了一些其他大型半导体厂商前往欧洲建厂。

欧洲要发展本地的制造产业，位于本部的企业无疑是中坚力量。我们看到，英飞凌、ST、博世等此前有晶圆厂的厂商已经纷纷建起了新厂。zui令欧洲振奋人心的是，其吸引到了英特尔和Wolfspeed等厂商的入驻。

2022财年英飞凌实现收入142.18亿欧元，较上年的1100.6亿欧元增长29%。英飞凌对此的分析是，导致营收增长一半以上的因素是半导体销量增加的结果，这离不开英飞凌前端制造的产能扩充，包括2021年9月在Villach工厂(奥地利)开设的300毫米薄晶圆电力电子新芯片工厂，以及在德累斯顿(德国)和居林(马来西亚)的产能持续扩张。

2023年2月16日，英飞凌获准开始在德国德累斯顿市（Dresden）建设一座价值 50 亿欧元（53.5亿美元）的半导体工厂，该工厂将于 2026 年投产，这也是英飞凌历史上zui大的一笔投资。该工厂将主要用来生产功率半导体和模拟/混合信号组件。英飞凌正在为该工厂寻求10亿欧元的公共资金。

目前英飞凌在欧洲拥有多家前端和后端工厂。下图是英飞凌在欧洲的制造厂和总部的位置，图中标号①和③分别是英飞凌位于奥地利菲拉赫和德国德累斯顿的前端制造厂，②是英飞凌总部德国纽比堡，④是英飞凌位于德国雷根斯堡的前后端一体化的工厂，⑤和⑥分别是英飞凌位于瓦尔施泰因 (Warstein)和匈牙利Cegl?d的2个后端工厂。

意法半导体（ST）也是欧洲半导体巨头的一员大将，2022年ST全年净收入为161.3亿美元，增长26.4%。2023年，ST计划投资约40亿美元的资本支出，主要用于提高12英寸晶圆产能，以及碳化硅芯片和衬底的产能。下图红色部分显示了ST目前在欧洲拥有的工厂情况，可以看出，ST目前在欧洲大约拥有6座前端晶圆厂，3座后端工厂。

2022年8月4日，ST与GlobalFoundries签署了一份商业和合作协议，在ST位于法国Crolles的现有300毫米工厂附近建立一个新的联合运营的300毫米半导体制造工厂，主要是生产FD-SOI 或完全耗尽的绝缘体上硅的半导体制造技术的产品。该工厂的目标是到2026年达到满负荷生产，完全建成后每年可生产多达62万片300毫米晶圆。该项目预计耗资57亿美元。该晶圆厂的建造一方面能够支持ST年收入达到200 亿美元的计划，另一方面，也将帮助格芯基于其流行的 22 纳米 22FDX 芯片制造工艺生产更多芯片。

10月，ST又宣布，将在意大利建设一个集成的碳化硅 (SiC) 衬底制造工厂，这将成为欧洲di一家量产150mm SiC外延衬底的工厂。它与现有的SiC器件制造设施一起建在意法半导体位于意大利卡塔尼亚的工厂，卡塔尼亚一直是ST功率半导体zhuan业技术的中心，ST在这里与意大利研究实体、大学和供应商进行了集成研究、开发和制造SiC，此举将推进意法半导体碳化硅业务垂直整合战略。ST预计将于2023年开始生产，从而实现内部供应和商业供应之间的SiC衬底供应平衡。意大利政府将在国家复苏和恢复力计划的框架下，在五年内向该工厂投资7.3亿欧元。

博世主要有两家大型晶圆厂，分别位于罗伊特林根和德累斯顿。其中，博世德累斯顿晶圆厂的he心技术为直径为300毫米晶圆制造，单个晶圆可产生31,000片芯片。自2010年博世引入200毫米晶圆技术，在罗伊特林根和德累斯顿两个晶圆厂的投资已达25亿欧元。除此以外，博世还投资了数十亿欧元用于微机电技术开发。