制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

F411MR12W2M1B76BOMA1

包装托盘

产品状态停产

技术碳化硅（SiC）

配置4 N 沟道（半桥）

FET 功能-

漏源电压（Vdss）1200V（1.2kV）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tj）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）11.3毫欧 @ 100A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5.55V @ 40mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）248nC @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）7360pF @ 800V

功率 - 大值-

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装AG-EASY1B-2

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