JFE2140DR低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

发布时间:2022/10/13 16:12:52

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双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

JFE2140 的说明

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 匹配对分立式 JFETJFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 μA 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,可按照 ±4 mV 测试 JFET 之间的匹配性,确保差分对配置具有低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

 

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C +125°C

JFE2140 的特性

超低噪声:

电压噪声:

1 kHz 时为 0.9 nV/HzIDS = 5 mA

1 kHz 时为 1.1 nV/HzIDS = 2mA

电流噪声:1 kHz 时为 1.6 fA/Hz

VGS 失配:4 mV大值)

低栅极电流:10 pA大值)

低输入电容:VDS = 5V 时为 13 pF

高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 V

高跨导:30 mS


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