8月3日午后，A股半导体概念持续上扬，半导体指数盘中涨近6%，收盘涨逾3%；重仓半导体的基金“诺安成长混合”盘中涨超4%，收盘涨幅收窄至3%左右。

大型晶圆代工厂中，中芯国际A股收涨近7%，港股涨超4%；华虹半导体港股收涨近3%。

有券商分析指出，美国近期通过芯片法案，将为美国半导体制造提供520亿美元补贴，而该法案要求获补助的公司，10年内不得在中国大陆大幅增产比28nm更先进的芯片，这一消息或推动半导体国产化加速。

就在8月2日，台媒传出窜访台湾的佩洛西可能会与台积电董事长刘德音讨论美国芯片法案，而刘德音日前直言“如果发生战争，台积电将无法运作”，凸显出地缘政治局势对半导体产业链的影响。

有业内人士近日向观察者网指出，过去两年的芯片短缺，叠加某些国家的“逆化”政策，导致这些半导体巨头或主动或被动地宣布扩产计划，甚至要把生产基地搬迁到市场之外。如果之后整个行业需求没有增加，甚至出现下降，这些公司将会面临额外的压力。

诺安成长混合8月3日走势

8月3日，在A股半导体细分领域中，涨幅的是EDA（电子设计自动化）概念，华大九天午后涨近26%，概伦电子盘中涨幅也在20%左右。即便尾盘有所回落，两家公司收盘涨幅也均超过15%。

消息层面，美国科技媒体“Protocol”8月2日报道称，美国政府准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制，这种软件利用的新一代技术对设计和制造的人工智能芯片至关重要。新的出口限制可能在未来几周实施，拜登政府仍在敲定具体限制细节。

这或许是刺激国产EDA概念大幅上涨的重要原因。赛迪智库数据显示，2020年Synopsys、Cadence和Mentor（已改名Seimens EDA）三大美国EDA巨头合计占据国内约80%的市场份额，国产EDA企业的份额仅11.5%，其中华大九天国内份额约6%。

EDA之外，光刻胶概念也持续走强，新莱应材大涨超15%创历史新高，广信材料、容大感光涨超10%，彤程新材涨停，芯源微、南大光电、安集科技、华特气体、蓝英装备等跟涨。

南大光电近期在投资者互动平台透露，该公司光刻胶项目所需的光刻车间已建成，项目所需的主要先进光刻设备，如ASML浸没式光刻机等已经完成安装并投入使用；已经生产出多款样品发往下游客户验证，已具备ArF光刻胶及配套材料产业化的基本条件。

在去年的公告中，南大光电曾透露，该公司ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）；宁波南大光电已建成年产25吨ArF光刻胶产业化基地。

晶瑞电材则在今年7月底在投资者互动平台透露，该公司KrF（248nm深紫外）光刻胶产品分辨率达到了0.25～0.13μm的技术要求，已通过部分重要客户测试，KrF光刻胶生产及测试线已经基本建成，设备正在安装调试中，争取今年批量供货。

与光刻机配套，目前端的光刻胶也是EUV光刻胶，仅美日厂商实现了量产。就在今年5月，日本光刻胶巨头JSR高管曾宣称，“即使中国拿到一份关于（EUV光刻胶）化学成分细节的论文……，要在纯度、精度和大规模量产方面实现成功也是非常困难的。”

图源：华经情报网

材料之外，半导体设备概念也纷纷走高，中微公司盘中涨超7%，北方华创涨超9%，拓荆科技涨近8%。

市场传出，2022年下半年，中微半导体的刻蚀机将运往台积电美国工厂，用于5nm工艺芯片生产。

技术的进展之外，刺激股价的还有外部因素。7月31日，彭博社援引美国两大半导体设备供应商泛林集团和科天的消息报道称，美国政府正收紧对中国出口半导体制造设备的限制，禁止未经许可向中国大陆芯片制造商出售大多数可以制造14nm或更先进制程芯片的设备。

8月1日，路透社又援引四位知情人士的消息报道称，美国政府正考虑限制向中国大陆存储芯片制造商出口可用于128层以上3D NAND闪存芯片制造的美国设备。长江存储等中国存储芯片厂商，以及在华设厂的韩国企业三星和SK海力士都可能受到波及。

值得一提的是，8月3日，长江存储发布了基于晶栈?3.0（Xtacking?3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。按照供应链信息，此次长江存储发布的新品堆叠层数已达到232层，追上业界水平。

据CFM闪存市场统计，目前美光已开始量产232层NAND产品；SK海力士已向客户发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存样品，并计划在2023年上半年正式量产。另外，市场有消息称三星或将在2022年底或2023年上半年量产224层3D NAND；西部数据下一代BiCS 7的堆叠层数预计也将达到212层。