在近日加州举行的代工论坛上，三星公布了其芯片制造业务的zuixin路线图。三星电子晶圆代工事业执行副总裁康文秀表示，公司将在2025年开始大规模量产2nm工艺，2027年则预计投产更先进的1.4nm工艺，后者将主要面向高性能计算和人工智能等应用。
三星的此番表态，无疑直指目前正在攻坚dingjian制程的另两家半导体制造巨头——台积电与英特尔。今年9月，台积电针对此前先进制程的进度表进行了确认，旗下2nm制程芯片预计于2025年量产。同月底，英特尔也首次对外公布，1.8nm制程测试芯片正在设计中，将于年底流片。根据此前规划，英特尔将在2024年下半年同期量产2nm与1.8nm制程芯片。面对两大对手的竞争宣言，此前在良率上屡屡受挫的三星也终于坐不住了。今年6月底，三星宣布量产3nm工艺，而如果未来1.4nm投产顺利，三星也将成为目前在三足鼎立的先进制程领域里走得zui前的厂商。为了能在2027年顺利实现1.4nm制程的生产，康文秀在此次论坛上表示，三星将在诸多半导体技术上取得飞跃式进展，並且在美国扩大晶圆代工发展。zuixin信息显示，三星目前正在美国德州开建新工厂，并预计在2024年开始运作，这将为其zuixin3nm制程提供代工量产资源。“三星在这个节点上出手，更多还是感受到台积电的竞争压力。”对于三星发力的意图，CHIPquanqiu测试中心中国实验室主任罗国昭在接受《中国经营报》采访时表示，受4nm和3nm的生产良率影响，三星必须在制程lingxian上投入更多，才有更大可能扳回不利局面。公开信息显示，从采用5nm制程的首款集成5G基带芯片骁龙888开始，消费级手机芯片的zuida客户高通曾将订单从台积电转到过三星，但其功耗性能表现不甚理想。而后在更先进的4nm工艺上，三星再度因良率曝出问题而传出高通有意转单回台积电。因此，在进军3nm的档口，三星抢在台积电之前使用了尚不成熟的全栅场效应晶体（GAAFET）新架构，该架构能够通过降低晶体管间的漏电效应而提升性能，不过，代价仍是三星没法解决新技术良率不足的困扰。“这些压力逼迫三星在策略选择上倾向于更加冒进。”半导体产业分析师季维指出，高端制程市场的争夺非常残酷，一旦落后会造成客户的瞬间流失，而且往往转投成为对手的新增份额。市研机构TrendForce（集邦咨询）发布的研报显示，2022年第二季度，台积电、三星占据了quanqiu芯片代工行业前两位，并瓜分了近七成市场，但两家的差距也很大，其中台积电占据近53.4%的市场份额，三星占据16.5%的市场份额。这种对比之下，罗国昭认为，三星意图在制程上抢先研发是在情理之中的。“台积电作为lingxian者的先发优势保证了它的技术策略会相对更加成熟和稳定，而这恰恰是三星这种赶超者会放弃的方式。”罗国昭表示。值得注意的是，随着后期良率的解决，三星已经奋力抢下更多属于台积电的蛋糕。Counterpoint数据显示，2022年一季度，在quanqiu4nm与5nm的智能手机芯片市场，三星拿下了60%的市场份额，而台积电只拿下了40%。罗国昭认为，这一“反超”，也反映了三星背水一战策略的部分可行性。
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