Qorvo QPD2040D 400um分立式GaAs pHEMT裸片采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。QPD2040D的工作频率范围为直流至20GHz，P1dB时典型输出功率为26dBm，增益为13dB，1dB压缩时功率附加效率为55%。凭借这种性能水平，该器件非常适合用于高效率应用。该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。

特性：

• 工作频率范围：直流至20GHz
• P1dB输出功率：26dBm（典型值）
• 增益：13dB（12GHz时典型值）
• PAE：55%（12GHz时典型值）
• NF：1.1dB（12GHz时典型值）