规格产品属性属性值选择属性制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:Power-56-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:21.1 ARds On-漏源导通电阻:3.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, %2B 25 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:241 nC工作温度:- 55 C工作温度:%2B 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement商标名:PowerTrench系列:FDMS6681Z封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi / Fairchild配置:Single下降时间:197 ns高度:1.1 mm长度:6 mm产品类型:MOSFET上升时间:38 ns工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs晶体管类型:1 P-Channel典型关闭延迟时间:260 ns典型接通延迟时间:15 ns宽度:5 mm单位重量:68.100 mg
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