据业界消息，三星电子的HBM商业化迟缓或与HBMhe心芯片DRAM有关，1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。HBM3E的质量问题在zui近yi次检查中得到解决，这是一个积极的迹象，但由于全面量产供货的zui终质量测试不断推迟，实际影响仍然存在。

英伟达上月底对三星电子平泽园区8层 HBM3E产线进行了尽职调查，此前出现的HBM质量问题在这次检查中得到了解决。尽职调查是客户参观制造商的工厂，检查量产线和产品的行为，被视为在通过质量测试之前必须完成的惯例程序。预计通过此次检查，三星电子将能够顺利完成8层HBM3E的内部量产准备工作，但三星HBM3E是否会立即批量供应英伟达高性能AI加速器H200和B100还有待观察。业内消息称，该计划更有可能率先应用于非ding尖性能的AI芯片产品上，诸如三星向英伟达的H20供应HBM3。

三星电子原计划从今年第三季度开始向英伟达供应HBM3E。但截至目前，HBM3E 8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期，有消息称，12层产品极有可能推迟到明年第二或第三季度。在质量测试中，不仅要验证HBM本身，还必须额外验证与系统半导体结合的封装阶段的良率和性能。

三星电子HBM商业化迟缓有复杂的原因。但有分析认为，HBM的问题从根本上来说是he心芯片DRAM的问题。由于HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠并连接在一起，因此DRAM的性能与HBM性能息息相关。1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达量产供应HBM3E，有消息称，其数据处理速度较其他采用1b DRAM的竞品低。

据知情人士透露，三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划，但尚未做出zui终决定，因为这一决定需要承受各种风险，如果重新设计，预计至少需要六个月才能完成产品，直到明年第二季度才能实现量产。即使重新设计顺利完成，考虑到市场情况，实际上也很难按时供应产品。

另有相关人士表示，即使日程晚了，到底是尝试进入HBM3E供应链，还是事实上放弃HBM3E，取决于1a DRAM改造与否。三星电子DS部门负责人全永铉也认识到了这些问题，相信不久后会有更多进一步的相关信息。