SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，SK海力士于去年8月成功开发出世界the  highest 238层NAND闪存。

238层NAND闪存作为世界上The minimum volume的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。