SK海力士20日宣布，再次超越了现有zui高性能DRAM（内存）——HBM3的技术界限，The world for the first time垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出（max）容量24GB的HBM3 DRAM新产品。

SK海力士技术团队此次新产品采用了先进MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

SK海力士已向数多Global client company提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。