三星电子正在快速推进其下一代内存技术 Compute Express Link (CXL) 的开发和量产，以继高带宽内存 (HBM) 之后确立市场主导地位。

据韩媒报道，韩国zhuan利检索系统KIPRIS显示，三星于12月4日yi次性申请了四个商标：三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些被指定用于半导体存储器件、集成电路和数据存储器件。

CMM是CXL Memory Module的缩写，是国际半导体标准化组织JEDEC制定的基于CXL的内存规范。在三星内部，CXL 通常称为 CMM。

业界将 CXL 视为克服 AI 时代现有 DRAM 局限性的关键解决方案，在 AI 时代，需要处理的数据量呈指数级增长。CXL 是连接中央处理单元 (CPU)（计算机的大脑）与存储半导体的gao级接口。特别是，大容量CXL DRAM可以使服务器的内存容量比主DRAM增加8至10倍，从而能够快速处理大量数据。

三星电子于 2021 年 5 月开发出quan球首款基于 CXL 的 DRAM 技术，并于去年推出了业界首款高容量 512 GB CXL DRAM。今年5月，开发出了支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，并宣布计划年内量产。

三星电子计划继续扩展 CMM，以改善内存瓶颈问题并提高数据处理能力和能效。在这方面，三星还正在研究为CXL DRAM开发一种内存处理架构，称为智能内存。