80 V，100 A，4.2 mΩ
●特性
■典型RDS（〇II）=3.3（V〇S=l〇V，ID=80 A）
■典型QG（TOT）=68 NC（V〇S=l〇V，ID=80 A）
■UIS能力
■AEC-Q101和PPAP能力
■该器件无铅、无卤素/无BFR且符合RoHS规范