NXP/恩智浦 BUK9K13-60E 双N沟道逻辑电平

发布时间:2023/2/24 11:10:36

采用Trenchmos技术的LFPAK56D(双功率SO8)封装中的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品的设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车应用。

●特点和优点:

■双MOSFET
■Q101兼容
■额定重复雪崩
■由于额定温度为175?C,适用于热要求高的环境
■在175?C时,V-GS(th)额定值大于0.5 V的真实逻辑电平门

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