制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPD50N10S3L16ATMA1

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）

15 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）

2.4V @ 60μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）

64 nC @ 10 V

Vgs（zui大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）

4180 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（zui大值）

100W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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