制造商 

Texas Instruments

制造商零件编号      

TPS1101DR

FET 类型     P 通道

技术      MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   15V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    2.3A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）    2.7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）    90 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）  11.25nC @ 10V

Vgs（值）  +2V，-15V

FET 功能     -

功率耗散（值）      791mW（Ta）

工作温度     -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型     表面贴装型

供应商器件封装       8-SOIC

封装/外壳    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

公司简介：

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