制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRFB4110PBF

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（ui大值）

4.5 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）

210 nC @ 10 V

Vgs（zui大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）

9620 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（zui大值）

370W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3