无论是5G还是4G，通常的室外基站都很难完全覆盖，要做到体育馆、机场、大型楼宇、地铁站等场景信号覆盖，就需要小功率DAS（基站）进行室内覆盖。虽然5G话题正火，但4G依然在稳步推进。京瓷公司推出的基站端专用双工器SD25-1842R9UUA1，应用于B3频段，能够满足 高1w的发射功率，满足4G小功率DAS应用。

DAS端双工器与常用终端的双工器的区别在与：上行与下行频率不同，发射功率大，插入损耗小。针对DAS应用，SD25-1842R9UUA1的性能表现如下：

一、上行与下行频率

相对于终端，基站端的发射对应的频率是终端的接收，而终端的发射对应的基站端的接收频率，而基站端的发射功率比较大，所以对应的Tx频段是1805-1810MHz的耐功率要更大。

二、发射功率大

相比于常见的双工器，SD25-1842R9UUA1的Tx通道，耐功率更大，达到30dBm（1w）。常见的贴片双工器耐功率只有14dBm，而小功率DAS的发射功率一般控制在1w以下，完全可以满足要求，其耐功率指标如下图所示。

三、插入损耗小

相比于其他终端应用，基站端对性能要求更高，插入损耗是基站端双工器应用的重要指标。SD25-1842R9UUA1在发射端的插入算好只有0.9dB，减少发射损耗，其插损参数如下图所示：

由上述分析可知，不同于市面常见的双工器，应用于基站端的双工器有着特殊要求，而SD25-1842R9UUA1的耐功率可以达到30dBm，在插入损耗及带外抑制上都有很好的表现，特别适合30dBm以下的小功率DAS应用，有助于提高其性能，减小产品体积。