制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

SI1302DL-T1-GE3

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      480 毫欧 @ 600mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    1.4nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    280mW（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SC-70-3

封装/外壳      SC-70，SOT-323

公司简介：
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