制造商  

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDN360P

FET 类型      P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）     30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）   4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）  80 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9nC @ 10V

Vgs（最大值）   ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）      298pF @ 15V

FET 功能      -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作温度      -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型      表面贴装型

供应商器件封装  SuperSOT-3

封装/外壳     TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司简介：
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