制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IPB180N04S302ATMA1

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      1.5 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  4V @ 230μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    210nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  14300pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    300W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TO263-7-3

封装/外壳      TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）

公司简介：

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