晶体管 - FET,MOSFET - 单个 IRFL110TRPBF-BE3

发布时间:2020/9/12 13:39:50

制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

IRFL110TRPBF-BE3

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.5ATc

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(最大值)      540 毫欧 @ 900mA10V

不同 Id Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    8.3nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  180pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    2WTa),3.1WTc

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SOT-223

封装/外壳      TO-261-4TO-261AA

 

 

公司简介:

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!

 

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