制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号    

FDD6637

FET 类型       P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 35V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)      13A（Ta），55A（Tc）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）  11.6 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）    3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）      63nC @ 10V

Vgs（值）      ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）    2370pF @ 20V

FET 功能       -

功率耗散（值）      3.1W（Ta），57W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装     D-PAK（TO-252）

封装/外壳       TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

公司简介：
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