晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FDN352AP

发布时间:2020/8/7 11:52:48

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDN352AP

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.3ATa

驱动电压( Rds On,最小 Rds On      4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(值)      180 毫欧 @ 1.3A10V

不同 Id Vgs(th)(值)  2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    1.9nC @ 4.5V

Vgs(值)     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)  150pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散(值)    500mWTa

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SuperSOT-3

封装/外壳      TO-236-3SC-59SOT-23-3

 

 

公司简介:

贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。

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