晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FDG8842CZ

发布时间:2020/8/6 14:28:21

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDG8842CZ FET

类型       N P 沟道

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss       30V25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    750mA410mA

不同 IdVgs 时导通电阻(值)      400 毫欧 @ 750mA4.5V

不同 Id Vgs(th)(值)  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    1.44nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)  120pF @ 10V

功率 -      300mW

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-TSSOPSC-88SOT-363

供应商器件封装    SC-88SC-70-6

 

 

公司简介:

贸泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。

 

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