2N7002PW,115 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

发布时间:2020/8/13 14:55:39

制造商   

Nexperia USA Inc.

制造商零件编号   

2N7002PW,115

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    310mATa

驱动电压( Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(值)      1.6 欧姆 @ 500mA10V

不同 Id Vgs(th)(值)  2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)    .8nC @ 4.5V

Vgs(值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)  50pF @ 10V

FET 功能       -

功率耗散(值)    260mWTa

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    SOT-323

封装/外壳      SC-70SOT-323

 

 

公司简介:

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