制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

TK72E12N1,S1X

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       120V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    72A（Ta）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）      4.4 毫欧 @ 36A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）  4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）    130nC @ 10V

Vgs（值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）  8100pF @ 60V

FET 功能       -

功率耗散（值）    255W（Tc）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220-3

封装/外壳      TO-220-3

公司简介：
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