晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FDC6506P

发布时间:2020/11/7 11:36:15

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

FDC6506P

FET 类型       2 P 沟道(双)

FET 功能       逻辑电平门

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    1.8A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      170 毫欧 @ 1.8A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    3.5nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  190pF @ 15V

功率 - 大值     700mW

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装    SuperSOT™-6

 

公司简介:

深圳贸泽电子是一家原厂授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳贸泽电子原厂授权分销超过800家品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!

 

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