制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

IRFBF30PBF

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       900V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    3.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）      3.7 欧姆 @ 2.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）    78nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  1200pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

公司简介：

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