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BSP89E6327 Datasheet(PDF)

BSP89E6327 规格书

制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-223-4
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:240V
Id-连续漏极电流:350 mA
Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms
通道模式:Enhancement
zui小工作温度:-55C
zui大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:1.8 W
通道模式:Enhancement

下降时间:18.4 ns
正向跨导.zui小值:0.36 S/0.18 S
高度:1.6 mm
长度:6.5 mm
产品:MOSFET Small Signals
产品类型:MOSFETs
上升时间:3.5ns

工厂包装数量:1000
子类别:Transistors
品体管类型:1 N-Channel
类型:SIPMOS Small Signal Transistor
典型关闭延迟时间:15.9ns
典型接通延迟时间:4ns
宽度:3.5 mm
单位重量:112 mg

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