NTMFS4C025NT1G MOSFET

发布时间:2025/1/20 17:37:58

更多详情参数或规格书请联系18100277303
NTMFS4C025NT1G 供货情况
NTMFS4C025NT1G 产品购买
NTMFS4C025NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 69 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
Pd-功率耗散: 6.4 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS4C025N
工厂包装数量:1500
子类别: Transistors
单位重量: 750 mg

上一篇:NTMFS4C028NT1G MOSFET
下一篇:NTMFS4C024NT1G MOSFET