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NTMFS3D2N10MDT1G 供货情况

NTMFS3D2N10MDT1G 产品购买

NTMFS3D2N10MDT1G 中文资料-数据手册-PDF资料

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 142 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
Pd-功率耗散: 155 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS3D2N10MD
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors

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