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NTMFS1D1N04XMT1G  Datasheet(PDF)

NTMFS1D1N04XMT1G  规格书

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: N
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 233 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 49.1 nC
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 6.07 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.09 ns
系列: NTMFS1D1N04XM
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32.8 ns
典型接通延迟时间: 22.2 ns

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