更多详情参数或规格书请联系杨虹18100277303
NTMFS0D9N03CGT1G供货情况
NTMFS0D9N03CGT1G库存数量

NTMFS0D9N03CGT1G规格

NTMFS0D9N03CGT1G产品购买

NTMFS0D9N03CGT1G中文资料-数据手册-PDF资料

NTMFS0D9N03CGT1G请联系!

NTMFS0D9N03CGT1G Datasheet(PDF)

NTMFS0D9N03CGT1G 规格书

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 298 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 131.4 nC
Pd-功率耗散: 144 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: NTMFS0D9N03CG
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 93 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 175 mg

以上文章由威尔健半导体提供,威尔健半导体是您咨询元器件选择的平台，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，为您提供实惠的价格。团队将为您提供高效的服务。您的信任是我们持续前进的动力，如果您需要采购或BOM报价，欢迎随时咨询我们。