IPP065N04N G 规格：

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
6.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
4V @ 200μA
Vgs（大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
40 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
34 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2800 pF @ 20 V

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