SI1902DL-T1-E3 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

发布时间:2021/3/10 15:47:57

SI1902DL-T1-E3 规格:

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
385 毫欧 @ 660mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
-
功率 - 大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
基本产品编号
SI1902



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ES1J (ON) TUSB8020BIPHPR (ON)




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