NVJD5121NT1G介绍：
制造商: ON Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-363-6 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 60 V 
Id-连续漏极电流: 300 mA 
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 
Qg-栅极电荷: 900 pC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 175 C


公司主推物料现货：
SPZTA42T1G(ON)  SPZT651T1G(ON)  SPZT751T1G(ON)  NVJD5121NT1G(ON)  
NSV20201LT1G(ON)  NSV20200LT1G(ON)  NVD14N03RT4G(ON)  MGSF1P02LT1G(ON)  

NVJD5121NT1G封装：