STD1NK60T4参数介绍：

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

封装 / 箱体: TO-252-3

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 1 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 7 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

封装: Reel

高度: 2.4 mm  

长度: 6.6 mm  

系列: STD1NK60T4  

晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET  

类型: MOSFET  

宽度: 6.2 mm  

典型关闭延迟时间: 19 ns  

典型接通延迟时间: 6.5 ns  

单位重量: 4 g

热卖现货产品：

IR3551M （IR） IRS2113MPBF（IR） IRS2113 （IR）IR3556MTRPBF（IR） IR3556M（IR）

典型工作电路

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STD1NK60T4封装图片：